sicdiode

ST's silicon-carbide diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over Si, with 4 times better dynamic characteristics and 15% less ...

650V 16A SiC Diode 離散式元件(AAC016H06DC) · 標準TO-220-2引腳封裝 · 電壓: 650V 電流: 16A · 內建SiC Diode碳化矽(碳化硅)晶片 · 可減少開關損耗 · 可耐受高溫(<175C) · 符合 ...

KEC的SiC（Silicon Carbide）Shottky Barrier Diode是新一代電力芯片，沒有反向恢復電流（Reverse Recovery Currenet）和開關損耗（Swiching Loss），性能出色。

The fast switching characteristics of the Silicon Carbide (SiC) diodes provide clear efficiency improvements at system level. The performance gap between SiC ...

SiC肖特基勢壘二極體（SBD）具有較高的反向額定電壓。除了具有短反向恢復時間（t rr )的SBD，東芝還提供具有結勢壘肖特基（JBS）結構的650-V SBD，該結構提供低洩漏 ...

我們的碳化矽(SiC) 蕭特基勢壘二極體(SBD) 憑藉以下特性來實現高效的AC-DC、DC-DC 及DC-AC 轉換：. 高溫下優異的反向漏電穩定性; 提高功率密度; 電路設計中的切換損耗 ...

SiC採用高速元件構造之SBD(蕭特基二極體)構造，可實現600V以上的高耐壓二極體(Si則SBD到200V左右)。 為此，藉由更換現在主流之高速PN接合二極體(FRD:快速回復二極體)可大幅 ...

肖特基二極體及整流器SiC, Schottky Diode, 50A, 650V, TO-247-2, Industrial, Gen 6. Wolfspeed C6D50065H. C6D50065H; Wolfspeed; 1: NT$637.20; 347庫存量; 新產品.

SiC蕭特基二極體（SiC SBD）具有很小的總電荷（Qc），低開關損耗且高速開關工作。因此，它被廣泛用於電源的PFC電路中。此外，與矽基快速恢復二極體的trr（反向恢復時間 ...